Ținte de pulverizare 80% tungsten
Forma țintei: placă, disc, dreptunghi, pătrat, inel, tijă rotundă, disc în trepte, dreptunghi în trepte, triunghi, țintă tubulară, țintă imbricată etc. sau personalizat în funcție de cerințele clientului și poate fi prelucrat conform desenelor furnizate de către client. De asemenea, putem oferi clienților servicii de legare pentru unele materiale țintă.
Dimensiune de referință: diametru mai mic sau egal cu 355,6 mm (14 inchi), lungime mai mică sau egală cu 1000 mm, lățime mai mică sau egală cu 200 mm, grosime mai mică sau egală cu 20 mm
80% W Ținte de pulverizare
Care sunt procesele de pulverizare a țintelor?
Procesul țintă de pulverizare este utilizat în principal în două aspecte: gravarea prin pulverizare și depunerea de peliculă subțire.
La depunerea filmelor subțiri, sursa de pulverizare este plasată pe țintă și este bombardată de ioni de argon pentru a produce pulverizare. Dacă materialul țintă este o singură substanță, pe substrat se formează o peliculă subțire a materialului țintă; dacă gazul reactiv este introdus intenționat în camera de pulverizare, acesta reacționează chimic cu atomii țintă pulverizați și se depune pe substrat. Se poate forma un film compus din materialul țintă. În general, filmele compuse sau de aliaj sunt produse prin pulverizare directă cu un compus sau un aliaj țintă.
Țintă de pulverizare 80% tungsten titan
În timpul gravării prin pulverizare, materialul de gravat este plasat în poziția țintă și este bombardat de ioni de argon pentru gravare. Rata de gravare este legată de factori precum randamentul de pulverizare a materialului țintă, densitatea curentului ionic și gradul de vid al camerei de pulverizare. În timpul gravării prin pulverizare, atomii țintă pulverizați ar trebui îndepărtați cât mai mult posibil din camera de pulverizare. O metodă comună este de a introduce un gaz reactiv, de a reacționa cu atomii țintă pulverizați pentru a genera gaz volatil și apoi de a-l descărca din camera de pulverizare printr-un sistem de vid.
